75

Транзистор STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247]

Поставка электронных компонентов в Белгород

270,00 руб.

x 270,00 = 270,00
Артикул: 1128392 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней270,00руб.251,10руб.243,00руб.237,60руб.229,50руб.216,00руб.210,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней507,60руб.467,10руб.459,00руб.448,20руб.432,00руб.407,70руб.396,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней515,70руб.475,20руб.464,40руб.453,60руб.432,00руб.410,40руб.402,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней324,00руб.297,00руб.291,60руб.283,50руб.275,40руб.259,20руб.251,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней469,80руб.432,00руб.421,20руб.413,10руб.399,60руб.375,30руб.364,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней294,30руб.272,70руб.264,60руб.259,20руб.251,10руб.234,90руб.229,50руб.

Характеристики

STGW45HF60WD, IGBT 100КГц/45А/600В, [TO-247] IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Дополнительная информация

Корпус

to-247
Структура

n-канал+диод