011

STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом

Поставка электронных компонентов в Белгород

92,00 руб.

x 92,00 = 92,00
Артикул: 1126834 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней92,00руб.85,56руб.82,80руб.80,96руб.75,44руб.73,60руб.71,76руб.66,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней166,52руб.152,72руб.149,96руб.146,28руб.136,16руб.133,40руб.129,72руб.116,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней215,28руб.198,72руб.194,12руб.189,52руб.176,64руб.172,04руб.168,36руб.150,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней110,40руб.101,20руб.99,36руб.96,60руб.90,16руб.88,32руб.85,56руб.77,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней212,52руб.195,96руб.191,36руб.186,76руб.181,24руб.174,80руб.165,60руб.149,04руб.

Характеристики

STD18N55M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 550 В, 0.18 Ом The STD18N55M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology with PowerMESH™ horizontal layout structure. The device has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

• Higher VDSS rating
• High dV/dt capability
• Excellent switching performance
• Easy to drive
• 100% Avalanche tested
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал