d61114ac1e617dd1291bbf6811a606d7

PBSS306NX,115, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 110 МГц

Поставка электронных компонентов в Белгород

56,00 руб.

x 56,00 = 56,00
Артикул: 1130105 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней56,00руб.52,08руб.50,40руб.49,28руб.45,92руб.44,80руб.43,68руб.40,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней101,36руб.92,96руб.91,28руб.89,04руб.82,88руб.81,20руб.78,96руб.71,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней131,04руб.120,96руб.118,16руб.115,36руб.107,52руб.104,72руб.102,48руб.91,84руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней67,20руб.61,60руб.60,48руб.58,80руб.54,88руб.53,76руб.52,08руб.47,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней129,36руб.119,28руб.116,48руб.113,68руб.110,32руб.106,40руб.100,80руб.90,72руб.

Характеристики

PBSS306NX,115, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 110 МГц The PBSS306NX, 115 is a 4.5A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a small and flat lead surface-mount plastic package. It offers collector pad for good heat transfer.

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
• PNP complement is PBSS306PX
• 5G Marking code

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер

100В
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-89
Рассеиваемая Мощность

600мВт
Полярность Транзистора

npn
DC Ток Коллектора

4.5А
DC Усиление Тока hFE

40hFE
Частота Перехода ft

110МГц