7

NDC7002N, Транзистор 2N-канала 50В 510мА [SSOT6]

Поставка электронных компонентов в Белгород

17,00 руб.

x 17,00 = 17,00
Артикул: 1127547 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней17,00руб.15,81руб.15,30руб.14,96руб.13,94руб.13,60руб.13,26руб.12,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней30,77руб.28,22руб.27,71руб.27,03руб.25,16руб.24,65руб.23,97руб.21,59руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней39,78руб.36,72руб.35,87руб.35,02руб.32,64руб.31,79руб.31,11руб.27,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней20,40руб.18,70руб.18,36руб.17,85руб.16,66руб.16,32руб.15,81руб.14,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней39,27руб.36,21руб.35,36руб.34,51руб.33,49руб.32,30руб.30,60руб.27,54руб.

Характеристики

NDC7002N, Транзистор 2N-канала 50В 510мА [SSOT6]The NDC7002N is a dual N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.

• High saturation current
• High density cell design for low RDS (ON)
• Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities

Дополнительная информация

Структура

2n-канала