7bb848688fb7cd6c74c54b822bf442cb

MJD45H11TM, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц

Поставка электронных компонентов в Белгород

91,00 руб.

x 91,00 = 91,00
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней91,00руб.84,63руб.81,90руб.80,08руб.74,62руб.72,80руб.70,98руб.65,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней164,71руб.151,06руб.148,33руб.144,69руб.134,68руб.131,95руб.128,31руб.115,57руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней212,94руб.196,56руб.192,01руб.187,46руб.174,72руб.170,17руб.166,53руб.149,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней109,20руб.100,10руб.98,28руб.95,55руб.89,18руб.87,36руб.84,63руб.76,44руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней210,21руб.193,83руб.189,28руб.184,73руб.179,27руб.172,90руб.163,80руб.147,42руб.

Характеристики

MJD45H11TM, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц The MJD45H11TM is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for general-purpose power and switching (such as output or driver stages) applications.

• Lead formed for surface-mount application
• Low collector emitter saturation voltage
• Fast switching speeds

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

-80В

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

1.75Вт

Полярность Транзистора

pnp

DC Ток Коллектора

-8А

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Частота Перехода ft

40МГц