1925

FDS6982AS, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6.3 А

Поставка электронных компонентов в Белгород

73,00 руб.

x 73,00 = 73,00
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней73,00руб.67,89руб.65,70руб.64,24руб.59,86руб.58,40руб.56,94руб.52,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней132,13руб.121,18руб.118,99руб.116,07руб.108,04руб.105,85руб.102,93руб.92,71руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней170,82руб.157,68руб.154,03руб.150,38руб.140,16руб.136,51руб.133,59руб.119,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней87,60руб.80,30руб.78,84руб.76,65руб.71,54руб.70,08руб.67,89руб.61,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней168,63руб.155,49руб.151,84руб.148,19руб.143,81руб.138,70руб.131,40руб.118,26руб.

Характеристики

FDS6982AS, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 6.3 А The FDS6982AS is a 30V dual notebook power supply N-channel PowerTrench® SyncFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild’s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the low side switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s monolithic SyncFET technology. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Includes SyncFET Schottky body diode
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2Вт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

6.3А