1925

FDS6975, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, 6 А

Поставка электронных компонентов в Белгород

140,00 руб.

x 140,00 = 140,00
Артикул: 1131732 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней140,00руб.130,20руб.126,00руб.123,20руб.119,00руб.112,00руб.109,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней263,20руб.242,20руб.238,00руб.232,40руб.224,00руб.211,40руб.205,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней267,40руб.246,40руб.240,80руб.235,20руб.224,00руб.212,80руб.208,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней168,00руб.154,00руб.151,20руб.147,00руб.142,80руб.134,40руб.130,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней243,60руб.224,00руб.218,40руб.214,20руб.207,20руб.194,60руб.189,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней152,60руб.141,40руб.137,20руб.134,40руб.130,20руб.121,80руб.119,00руб.

Характеристики

FDS6975, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, 6 А The FDS6975 is a dual P-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for notebook computer applications load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion.

• Low gate charge
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC
Рассеиваемая Мощность

2Вт
Полярность Транзистора

Двойной P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-30В
Непрерывный Ток Стока

6А