Характеристики
BFG35,115, Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 18 В, 4 ГГц The BFG35.115 is a NPN epitaxial planar Wideband Transistor mounted in a plastic envelope, intended for wideband amplifier applications. The device offers a high output voltage capabilities.
Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБиполярные Транзисторы