1925

FDS89141, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.5 А

Поставка электронных компонентов в Белгород

150,00 руб.

x 150,00 = 150,00
Сроки поставки выбранного компонента в Белгород уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней150,00руб.139,50руб.135,00руб.132,00руб.127,50руб.120,00руб.117,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней282,00руб.259,50руб.255,00руб.249,00руб.240,00руб.226,50руб.220,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней286,50руб.264,00руб.258,00руб.252,00руб.240,00руб.228,00руб.223,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней180,00руб.165,00руб.162,00руб.157,50руб.153,00руб.144,00руб.139,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней261,00руб.240,00руб.234,00руб.229,50руб.222,00руб.208,50руб.202,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней163,50руб.151,50руб.147,00руб.144,00руб.139,50руб.130,50руб.127,50руб.

Характеристики

FDS89141, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 3.5 А The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
• ±20V Gate to source voltage
• 3.5A Continuous drain current
• 18A Pulsed drain current

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

31Вт

Полярность Транзистора

Двойной N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

3.5А